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半导体芯片无损检测

半导体芯片无损检测是指在不损坏芯片本身结构与性能的前提下,对芯片内部缺陷、结构完整性、材料特性等进行检测的技术,旨在保障芯片质量与性能,助力芯片研发、生产等环节。

半导体芯片无损检测目的

其一,检测芯片内部是否存在裂纹、空洞等缺陷,确保芯片结构完整性,避免因内部缺陷导致芯片性能失效。其二,评估芯片材料的特性,如半导体材料的均匀性等,保障芯片性能稳定。其三,通过无损检测可提前发现潜在问题,为芯片的改进和优化提供依据,降低不良品率。

半导体芯片无损检测原理

基于多种物理原理,例如利用超声波检测时,超声波在不同介质中传播特性不同,遇到缺陷会反射,通过接收反射波来判断缺陷位置与大小。又如光学检测原理,利用显微镜等设备观察芯片表面及内部结构,根据光学信号差异识别缺陷。再如X射线检测原理,X射线能穿透芯片,不同密度物质对X射线吸收不同,通过成像来显示芯片内部结构。

半导体芯片无损检测所需设备

常用设备有超声波探伤仪,用于发射和接收超声波信号来检测内部缺陷。还有光学显微镜,可用于观察芯片表面微观结构。另外,X射线探伤设备也是重要工具,能实现对芯片内部的非接触式检测。

半导体芯片无损检测条件

首先,检测环境需保持稳定,温度、湿度等要符合设备要求,避免环境因素干扰检测结果。其次,芯片需处于正常放置状态,无外力损坏风险。再者,检测人员需具备专业技能和操作经验,能正确使用检测设备。

半导体芯片无损检测步骤

第一步,准备待检测芯片,确保芯片清洁无杂质。第二步,根据检测目的选择合适的检测设备与方法。第三步,将芯片放置在检测设备上,按照设备操作流程进行检测,获取检测数据或图像。第四步,对检测结果进行分析,判断芯片是否符合质量要求。

半导体芯片无损检测参考标准

GB/T 40548-2021《半导体器件 半导体芯片的键合强度测试方法》

GB/T 38560-2020《集成电路 三维集成电路工艺与测试 第1部分:通用要求》

ASTM E164-2018《用X射线照相法检测电子部件中不连续性的标准实施规程》

IPC-TM-650 2.9.13《使用超声波扫描显微镜进行半导体器件的内部检查》

JESD22-A128《半导体器件机械和气候试验方法 第128部分:芯片键合拉力和剪切力的测量》

IEC 62073:2015《半导体器件 三维集成电路 功能单元的测试和表征》

GB/T 32962-2016《纳米制造 关键控制特性 半导体芯片关键尺寸测量不确定度评估指南》

ASTM E125-2019《用目视检测法检测电子部件中不连续性的标准实施规程》

GB/T 38561-2020《集成电路 三维集成电路工艺与测试 第2部分:测试结构与方法》

IPC-TM-650 2.8.12《使用扫描声学显微镜进行半导体器件的内部检查》

半导体芯片无损检测注意事项

其一,检测设备需定期校准,确保检测精度。其二,操作过程中要轻拿轻放芯片,避免人为损坏。其三,严格按照参考标准进行检测,保证检测结果的规范性和可比性。

半导体芯片无损检测结果评估

根据检测得到的图像或数据,对比标准要求来评估。若缺陷尺寸小于允许范围,则芯片合格;若缺陷超出范围,则需进一步分析或判定芯片不合格。同时,要综合多方面检测结果进行全面评估。

半导体芯片无损检测应用场景

在芯片研发阶段,用于检测新设计芯片的内部结构与性能。在芯片生产过程中,可实时检测半成品芯片,及时发现问题并调整工艺。另外,在芯片质量抽检等环节也广泛应用,保障流入市场的芯片质量。

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